المساق
arXiv 2002-05-08 DOI 10.1063/1.1498503 0 مشاهدة

Epitaxial Growth of an n-type Ferromagnetic Semiconductor CdCr2Se4 on GaAs(001) and GaP(001)

Park, Y. D. · Hanbicki, A. T. · Mattson, J. E. · Jonker, B. T.

الأصل · EN

We report the epitaxial growth of CdCr2Se4, an n-type ferromagnetic semiconductor, on both GaAs and GaP(001) substrates, and describe the structural, magnetic and electronic properties. Magnetometry data confirm ferromagnetic order with a Curie temperature of 130 K, as in the bulk material. The magnetization exhibits hysteretic behavior with significant remanence, and an in-plane easy axis with a coercive field of 125 Oe. Temperature dependent transport data show that the films are semiconducting in character and n-type as grown, with room temperature carrier concentrations of n 1 x 10¹8 cm-3.

الترجمة العربية

لا توجد ترجمة عربية لهذا البحث بعد. كن أوّل من يطلبها: تستغرق ثوانيَ معدودة، وتُحفظ النتيجة لكل قارئ قادم.

تحقّق أمني

اكتب الأحرف الظاهرة أعلاه

حتى 10 ترجمات لكل شخص يومياً.