Band alignments of electronic energy structure in epitaxially grown eta-Ga2O3 layers
Zatsepin, D. A. · Boukhvalov, D. W. · Zatsepin, A. F. · Kuznetsova, Yu. A. · Gogova, D. · Shur, V. Ya. · Esin, A. A.
الأصل · EN
Gallium oxide epitaxial layers grown on native substrates and basal plane sapphire were characherized by X-ray phtotelectron and optical reflectance spectroscopies. The XPS electronic structure mapping was coupled to Density functional theory calculations.
الترجمة العربية
لا توجد ترجمة عربية لهذا البحث بعد. كن أوّل من يطلبها: تستغرق ثوانيَ معدودة، وتُحفظ النتيجة لكل قارئ قادم.