المساق
arXiv 2009-06-04 DOI 10.1063/1.3155856 0 مشاهدة

Sensitivity of Ag/Al Interface Specific Resistances to Interfacial Intermixing

Sharma, A. · Theodoropoulou, N. · Wang, Shuai · Xia, Ke · Pratt Jr., W. P. · Bass, J.

الأصل · EN

We have measured an Ag/Al interface specific resistance, 2AR(Ag/Al)(111) = 1.4 fOhm-m², that is twice that predicted for a perfect interface, 50% larger than for a 2 ML 50%-50% alloy, and even larger than our newly predicted 1.3 fOhmm² for a 4 ML 50%-50% alloy. Such a large value of 2ARAg/Al(111) confirms a predicted sensitivity to interfacial disorder and suggests an interface greater than or equal to 4 ML thick. From our calculations, a predicted anisotropy ratio, 2AR(Ag/Al)(001)/2AR(Ag/Al)(111), of more then 4 for a perfect interface, should be reduced to less than 2 for a 4 ML interface, making it harder to detect any such anisotropy.

الترجمة العربية

لا توجد ترجمة عربية لهذا البحث بعد. كن أوّل من يطلبها: تستغرق ثوانيَ معدودة، وتُحفظ النتيجة لكل قارئ قادم.

تحقّق أمني

اكتب الأحرف الظاهرة أعلاه

حتى 10 ترجمات لكل شخص يومياً.