Micromechanical electrometry of single-electron transistor island charge
Blencowe, M. P. · Zhang, Y.
الأصل · EN
We consider the possibility of using a micromechanical gate electrode located just above the island of a single-electron transistor to measure directly the fluctuating island charge due to tunnelling electrons.
الترجمة العربية
لا توجد ترجمة عربية لهذا البحث بعد. كن أوّل من يطلبها: تستغرق ثوانيَ معدودة، وتُحفظ النتيجة لكل قارئ قادم.