Tunneling current induced phonon generation in nanostructures
Arseyev, P. I. · Maslova, N. S.
الأصل · EN
We analyze generation of phonons in tunneling structures with two electron states coupled by electron-phonon interaction. The conditions of strong vibration excitations are determined and dependence of non-equilibrium phonon occupation numbers on the applied bias is found. For high vibration excitation levels self consistent theory for the tunneling transport is presented.
الترجمة العربية
لا توجد ترجمة عربية لهذا البحث بعد. كن أوّل من يطلبها: تستغرق ثوانيَ معدودة، وتُحفظ النتيجة لكل قارئ قادم.