Lindhard Factors and Concentrations of Primary Defects in Semiconductor Materials for uses in HEP
Lazanu, I. · Lazanu, S.
الأصل · EN
This report is a compilation of authors' calculations of the Lindhard factors, and of the concentration of primary radiation defects per unit particle fluence in different materials for HEP uses.
الترجمة العربية
لا توجد ترجمة عربية لهذا البحث بعد. كن أوّل من يطلبها: تستغرق ثوانيَ معدودة، وتُحفظ النتيجة لكل قارئ قادم.