Spin Injection: Interface Resistance in Fe/Semiconductor Junctions Calculated from First Principles
Wunnicke, Olaf · Mavropoulos, Phivos · Dederichs, Peter H.
الأصل · EN
We calculate the current spin polarisation and the interface resistance of Fe/GaAs and Fe/ZnSe (001) spin injection junctions from first principles, including also the possibility of a Schottky barrier. From our results of interface resistance we estimate the barrier thickness needed for efficient spin injection if the process is non-ballistic.
الترجمة العربية
لا توجد ترجمة عربية لهذا البحث بعد. كن أوّل من يطلبها: تستغرق ثوانيَ معدودة، وتُحفظ النتيجة لكل قارئ قادم.